你(nǐ)了解單晶(jing)爐嗎？單晶(jīng)爐在制作(zuo)工藝上的(de)拉制方法(fa)具體該怎(zen)麽做呢？

第(di)一種：區熔(rong)法

區熔法(fǎ)的操作工(gōng)藝就是爲(wèi)了避免熔(rong)體與坩埚(guō)間的化學(xué)反應造成(cheng)的污染，而(ér)發展起來(lai)的無增埚(guō)晶體生長(zhǎng)工藝。

這種(zhong)方法隻适(shì)用于熔體(ti)表面張力(lì)系數大的(de)晶體生長(zhang)。垂直安裝(zhuāng)一根多晶(jing)體棒，用水(shuǐ)冷射頻感(gǎn)，使應加熱(re)使棒的一(yī)端熔化。依(yi)靠熔體的(de)表面張力(lì)和電場産(chǎn)生的懸浮(fú)力，使熔體(ti)與晶棒粘(zhan)附在一起(qǐ)。把一根經(jing)過定向處(chù)理的籽晶(jing)端部侵入(rù)熔體，利用(yong)加熱器與(yu)晶體熔體(tǐ)的相對運(yun)動使多晶(jing)棒不斷地(dì)熔化，而另(ling)一側逐漸(jian)生成晶體(ti)。這種方法(fǎ)會讓生長(zhǎng)的晶體不(bú)會受坩埚(guo)的污染。

第(di)二種：直拉(lā)法

直拉法(fǎ)又稱“恰克(ke)拉斯基法(fa)”（Czochralski）法，簡稱CZ法(fa)。是生長單(dān)晶矽的主(zhu)要方法。該(gai)法是在直(zhí)拉法(CZ)單晶(jing)爐内，将原(yuan)料（多晶矽(xi)）裝在一個(gè)坩埚中使(shi)其加熱至(zhi)熔融狀，向(xiàng)熔矽中引(yǐn)入籽晶，籽(zǐ)晶夾在提(ti)拉杆的下(xià)端，控制溫(wen)度合适。當(dang)籽晶和熔(róng)矽達到平(ping)衡時，熔液(yè)會靠着表(biǎo)面張力的(de)支撐吸附(fù)在籽晶的(de)下方。此時(shí)邊旋轉邊(biān)提拉籽晶(jing)，這些被吸(xi)附的熔體(tǐ)也會随着(zhe)籽晶往上(shàng)運動。向上(shang)運動的過(guò)程中熔體(ti)溫度下降(jiang)，将使得熔(rong)體凝結成(chéng)晶且随着(zhe)籽晶方向(xiàng)生長成單(dan)晶棒。

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