單晶爐在(zai)使用前一定要認(ren)真的閱讀操作規(guī)程，以免發生意外(wài)和導緻設備的損(sun)壞。

1、清爐、裝爐：清洗(xǐ)整個爐室内壁及(jí)加熱線圈、反射器(qì)、晶體夾持器、上軸(zhóu)、下軸，調整加熱線(xiàn)圈和反射器的水(shuǐ)平及與上軸、下軸(zhóu)的對中；将多晶料(liào)夾具固定到多晶(jing)料尾部的刻槽處(chù)，然後将其安裝到(dao)上軸末端，進行多(duō)晶料的對中；将籽(zǐ)晶裝入籽晶夾頭(tou)上，然後将其安裝(zhuang)到下軸頂端；關閉(bì)各個爐門，擰緊各(ge)緊固螺栓； 

2、抽空、充(chōng)氣，預熱：打開真空(kōng)泵及抽氣管道閥(fá)門，對爐室進行抽(chou)真空，真空度達到(dào)所要求值時，關閉(bi)抽氣管道閥門及(ji)真空泵，向爐膛内(nèi)快速充入氩氣；當(dāng)充氣壓力達到相(xiàng)對壓力 1bar-6bar時，停止快(kuai)速充氣，改用慢速(su)充氣，同時打開排(pai)氣閥門進行流氩(ya)；充氣完畢後，對多(duo)晶矽棒料進行預(yu)熱，預熱使用石墨(mò)預熱環，使用電流(liú)檔，預熱設定點25-40％，預(yu)熱時間爲12-07分鍾； 

3、化(hua)料、引晶：預熱結束(shu)後，進行化料，化料(liào)時轉入電壓檔，發(fā)生器設定點在40-60％；多(duo)晶料熔化後，将籽(zǐ)晶與熔矽進行熔(róng)接，熔接後對熔區(qu)進行整形，引晶； 

4、生(sheng)長細頸：引晶結束(shu)後，進行細頸的生(shēng)長，細頸的直徑在(zai)2-6mm，長度在30-60mm； 

5、擴肩及氮(dàn)氣的充入：細頸生(shēng)長結束後，進行擴(kuò)肩，緩慢減少下速(sù)至3±2mm/min，同時随着擴肩(jiān)直徑的增大不斷(duàn)減少下轉至8±4rpm，另外(wai)還要緩慢減小上(shàng)轉至1±0.5rpm；爲了防止高(gao)壓電離，在氩氣保(bao)護氣氛中充入一(yī)定比例的氮氣，氮(dan)氣的摻入比例相(xiàng)對于氩氣的 0.01％-5％；

6、轉肩(jiān)、保持及夾持器釋(shì)放：在擴肩直徑與(yu)單晶保持直徑相(xiàng)差3-20mm時，擴肩的速度(du)要放慢一些，進行(háng)轉肩，直至達到所(suo)需直徑，單晶保持(chi)，等徑保持直徑在(zai)75mm-220mm，單晶生長速度1mm/分(fèn)-5mm/分，在擴肩過程中(zhōng)，當單晶的肩部單(dan)晶持器的銷子的(de)距離小于2mm時釋放(fang)夾持器，将單晶夾(jiá)住；

7、收尾、停爐：當單(dān)晶拉至尾部，開始(shǐ)進行收尾，收尾到(dao)單晶的直徑達到(dào)Φ10-80mm，将熔區拉開，這時(shi)使下軸繼續向下(xià)運動，上軸改向上(shàng)運動，同時功率保(bao)持在40±10％，對晶體進行(hang)緩慢降溫。