近年來，全球(qiu)範圍内的光伏(fu)發電産業發展(zhan)迅速，其中晶矽(xī)組件的比例占(zhàn)到了87％ ，晶矽組件(jiàn)質量的優劣及(jí)價格在一定程(cheng)度上影響着光(guang)伏組件的效率(lǜ)和成本。因此，面(miàn)對日趨競争激(ji)烈的市場需求(qiu)，降低晶矽組件(jian)的生産成本，提(ti)高産品質量成(cheng)爲了目前光伏(fú)産業中亟待解(jie)決的問題之一(yī) 。

    在晶矽組件中(zhong)，單晶矽組件與(yu)多晶矽組件相(xiàng)比，因其具有較(jiao)高的光電轉換(huàn)率、發電性穩定(ding)等優點而在市(shì)場上占據重要(yao)的地位。單晶爐(lu)是單晶矽組件(jian)生産過程中的(de)主要生産設備(bei)，各單晶生産廠(chǎng)商主要采用二(er)次增料技術來(lai)提高單晶爐的(de)生産效率。目前(qián)，國内單晶生産(chǎn)廠商在單晶爐(lú)二次增料裝置(zhì)方面取得了一(yī)定的成果。但是(shì)，在長期的生産(chan)應用過程中這(zhe)些裝置都有不(bu)同程度的缺陷(xian)，爲了提高二次(cì)增料裝置的性(xìng)能，本文對原裝(zhuang)置進行了結構(gou)改進。

    單晶爐二(èr)次增料時的原(yuán)料形狀一般分(fèn)爲塊狀矽料、粉(fěn)末狀矽料和棒(bàng)狀矽料。粉末狀(zhuàng)矽料可以利用(yong)專用設備壓制(zhì)成塊狀，棒狀矽(xī)料經過水爆機(jī)後形成塊狀矽(xī)料。因此．塊狀矽(xi)料的二次增料(liao)裝置可以實現(xian)三種不同形狀(zhuang)矽料往單晶爐(lú)内的添加，大多(duo)數企業采用塊(kuài)狀矽料二次增(zeng)料裝置來實現(xiàn)單晶爐生産效(xiao)率的提高， 圖1爲(wèi)某塊狀矽料的(de)單晶爐二次增(zeng)料裝置結構示(shi)意圖。

    該二次增(zeng)料裝置的工作(zuò)原理是：拉杆1可(kě)以在固定圈2和(he)定位圈4内左右(you)移動，當沿着豎(shù)直方向提起拉(la)杆1時，拉杆1底部(bù)的錐形面與外(wai)簡5相接觸，此時(shí)，将塊狀矽料從(cóng)固定圈2與外筒(tong)5之間的空隙中(zhong)添加至外筒5内(nei)，直至添滿，從而(er)實現二次增料(liao)裝置的裝料；接(jie)着，提拉盛滿塊(kuai)狀矽料的二次(ci)增料裝置至單(dān)晶爐内，使支撐(cheng)圈3與單晶爐内(nei)部的匹配部位(wèi)相吻合，松開提(tí)拉杆1，在矽料重(zhòng)力的作用下，拉(la)杆1底部的錐面(miàn)與外筒5相分離(li)，此時拉杆1底部(bu)的錐面位置如(rú)虛線所示，塊狀(zhuang)矽料從外筒5與(yu)拉杆1底部錐面(miàn)之間的空隙流(liú)人盛有熔融矽(xi)料的石英坩埚(guo)中，二次增料裝(zhuāng)置内的矽料自(zì)由下到單晶爐(lú)内的石英坩埚(guō)中，實現單晶爐(lú)的二次增料。

    存(cún)在問題

    該單晶(jing)爐 二次增料裝(zhuang)置存在主要問(wen)題如下：

    (1)、卡料：由(you)于矽料之間、矽(xi)料與裝置内部(bu)的部件之間存(cún)在摩擦力，落料(liào)時，矽料容易卡(ka)殼，甚至矽料卡(ka)住拉杆1，緻使其(qí)底部錐面與外(wài)筒5之間不能形(xing)成間隙，塊狀矽(xī)料不能實現下(xia)落；

    (2)、污染：矽料在(zai)實現落料的過(guò)程中，拉杆1底部(bù)錐面會被下面(mian)熔融矽料(單晶(jīng)爐内)的高溫所(suo)氧化而污染矽(xī)料，從而影響拉(la)晶工藝或矽棒(bang)質量等缺點。