單晶爐定義(yi)：
單晶爐是一種在(zài)惰性氣體（氮氣、氦(hài)氣爲主）環境中,用(yong)石墨加熱器将多(duō)晶矽等多晶材料(liào)熔化,用直拉法生(shēng)長無錯位單晶的(de)設備。
單晶爐的型(xing)号與命名：
單晶爐(lú) 型号有兩種命名(míng)方式，一種爲投料(liao)量，一種爲爐室直(zhí)徑。比如85爐，是指主(zhǔ)爐筒的直徑大小(xiao)，120、150等型号是由裝料(liao)量來決定的
1、穩定的機架結(jie)構設計，增強了設(shè)備在晶體生長過(guo)程中的抗振動能(neng)力。
2、優化的液壓提(tí)升機構确保副爐(lu)室提升和複位時(shi)的運動平穩性。
3、與(yǔ)主機分離的分水(shui)器設計，在減少冷(leng)卻水振動對晶體(tǐ)生長的影響的同(tóng)時優化了水路布(bu)局。
5、采用無振(zhèn)動的高性能馬達(da)和低噪聲的減速(su)器驅動晶體和坩(gān)埚上升，可提供穩(wěn)定的低生長速度(du)。
6、設備的真空條件(jian)和在真空下的可(ke)控惰性氣體氣流(liu)使得熱區清洗最(zuì)佳化。氧化矽可以(yǐ)在不污染晶體和(he)晶體驅動裝置的(de)條件下排除。
7、帶隔(gé)離閥的副室可以(yǐ)在熱區保持工作(zuò)溫度的情況下，取(qu)出長成的晶體或(huo)者更換籽晶。
8、對惰(duò)性氣體流量和爐(lú)室壓力高精度的(de)控制能力，爲生長(zhǎng)高品質單晶創造(zao)了條件。
9、爐蓋和爐(lú)腔通過兩個提升(sheng)裝置提升，很方便(biàn)的轉向一邊快捷(jie)地清洗。
10、熔化溫度(du)通過對加熱器溫(wen)度的電控來維持(chi)和調節，加熱電源(yuán)采用直流供電提(ti)高了控制精度。高(gāo)品質的加熱器溫(wen)度測量傳感器實(shi)現了精确的溫度(du)控制。
12、整個晶體生(shēng)長過程由一個高(gāo)可靠的可編程計(ji)算機控制器（PCC）控制(zhi)，包括抽真空、熔化(hua)、引晶縮頸、放肩、等(děng)經生長和尾錐生(sheng)長，晶體生長全過(guo)程可實現全自動(dong)（CCD）控制：。
13、帶有數據和(he)報警過程控制的(de)可視化軟件，存儲(chǔ)在計算機的硬盤(pán)中。
單晶爐 在使用(yong)時，爐體處于高溫(wen)工作狀态，并要求(qiú)各運動部件的運(yùn)動穩定可靠，精度(dù)高（尤其是坩埚驅(qū)動裝置和籽晶旋(xuán)轉及提升機構），工(gōng)作時間長。因此，在(zai)使用過程中，要注(zhù)意設備的維護與(yu)保養。
坩埚驅動裝(zhuāng)置
坩埚驅動裝置(zhì)要求的運動精度(du)比較高，是設備的(de)核心運動部件，應(ying)重點維護。坩埚軸(zhóu)是石墨坩埚的支(zhī)撐軸，應随時檢查(cha)其冷卻水的情況(kuang)，以免燒損。坩埚驅(qū)動采用滾珠絲杠(gang)和直線導軌結構(gou)，是坩埚驅動的關(guan)鍵部件，需保持清(qing)潔，嚴禁灰塵、雜物(wù)附着，并定期塗抹(mo)潤滑脂。
籽晶旋轉(zhuan)及提升機構的維(wei)修
其餘部件的維(wei)修
每次開單晶爐(lu) 前應檢查水路系(xì)統是否暢通，水溫(wen)檢測傳感器安裝(zhuāng)是否正常。發現有(yǒu)結垢時應及清理(li)。在拉晶過程中，若(ruò)發現水壓報警或(huo)漏水時要及時采(cai)取措施。 真空管道(dào)的過濾網每爐要(yào)清理一次，抽氣管(guǎn)道每20～30爐清理一次(cì)。
